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Zn在Ge中扩散的研究
张桂成
1987, 9(3): 264-268.  刊出日期:1987-05-19
用Zn作扩散源在封闭的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的扩散问题,给出了xj-t1/2关系和C-1/T关系,比较了扩散源温度对样品表面形貌的影响。采用双温区扩散工艺可获得表面光亮的样品。采用真空退火工艺可使扩散样品表面漏电流降低。
无证书聚合签名方案的安全性分析和改进
张玉磊, 李臣意, 王彩芬, 张永洁
2015, 37(8): 1994-1999. doi: 10.11999/JEIT141635  刊出日期:2015-08-19
关键词: 密码学, 聚合签名, 无证书签名, 密钥生成中心攻击, 选择消息攻击, 计算Diffie-Hellman 困难问题
该文分析了He等人(2014)提出的无证书签名方案和Ming等人(2014)提出的无证书聚合签名方案的安全性,指出Ming方案存在密钥生成中心(KGC)被动攻击,He方案存在KGC被动攻击和KGC主动攻击。该文描述了KGC对两个方案的攻击过程,分析了两个方案存在KGC攻击的原因,最后对Ming方案提出了两类改进。改进方案不仅克服了原方案的安全性问题,同时也保持了原方案聚合签名长度固定的优势。
p型Si1-xGex应变层中重掺杂禁带窄变的计算
吴文刚, 张万荣, 江德生, 罗晋生
1996, 18(6): 638-643.  刊出日期:1996-11-19
关键词: 锗硅合金; 应变; 重掺杂; 能带结构
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在100Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2~31019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合
郑京亮, 杨弃疾
1989, 11(4): 410-415.  刊出日期:1989-07-19
关键词: 天线; 覆介质导体圆柱; 缝隙; 耦合
本文研究覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合,讨论了耦合系数谱展开式中无穷积分的收敛性态,利用辅助函数Ge得出了耦合系数的计算公式,给出了部分数值计算结果。
一种用于T-DMB系统IP业务传输的GSE-FEC方案
李立, 刘元安, 刘凯明, 刘炀, 程飞
2009, 31(5): 1233-1236. doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108  刊出日期:2009-05-19
关键词: 地面数字多媒体广播;通用流封装;RS码;带擦除译码;循环冗余校验
该文采用通用流封装GSE来完成地面数字多媒体广播(T-DMB)系统的IP业务的传输,提出了一种改进的GSE-FEC方案。其中设计了一种可提供帧重构信息以及错误位置信息的改进的GSE封装(IGSE),进一步提出了基于IGSE的带擦除译码方案IGE,用于GSE-FEC方案的译码部分, 较好地提高了GSE-FEC的性能。仿真结果表明,IGE与基于非带擦除(NE)以及基于现有GSE封装的带擦除(GE)RS译码方案相比,均表现出更强的纠错能力,另外,与GE方案相比,IGE可以更好的保护正确字节,有效的减少信息浪费。
ZUC序列密码算法的选择IV相关性能量分析攻击
严迎建, 杨昌盛, 李伟, 张立朝
2015, 37(8): 1971-1977. doi: 10.11999/JEIT141604  刊出日期:2015-08-19
关键词: 密码学, 序列密码, ZUC, 能量分析攻击, 评估
为了分析ZUC序列密码算法在相关性能量分析攻击方面的免疫能力,该文进行了相关研究。为了提高攻击的针对性,该文提出了攻击方案的快速评估方法,并据此给出了ZUC相关性能量分析攻击方案。最后基于ASIC开发环境构建仿真验证平台,对攻击方案进行了验证。实验结果表明该方案可成功恢复48 bit密钥,说明ZUC并不具备相关性能量分析攻击的免疫力,同时也证实了攻击方案快速评估方法的有效性。相比Tang Ming等采用随机初始向量进行差分能量攻击,初始向量样本数达到5000时才能观察到明显的差分功耗尖峰,该文的攻击方案只需256个初始向量,且攻击效果更为显著。
带铁心任意形状偏转器磁场的计算
谢志行, 林文彬, 沈庆垓
1990, 12(2): 169-178.  刊出日期:1990-03-19
关键词: 电子光学; 磁偏转器; 任意形状绕组
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
张桂成,
1989, 11(3): 333-336.  刊出日期:1989-05-19
关键词: 发光管; GaAlAs/GaAs双异质结; 深能级
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
短码长四元最优局部修复码的构造
李瑞虎, 展秀珍, 付强, 张茂, 郑尤良
2021, 43(12): 3749-3757. doi: 10.11999/JEIT200740  刊出日期:2021-12-21
关键词: 最优码, 局部修复码, 生成阵, 校验阵
在分布式存储系统中,当节点发生故障时局部修复码(LRC)可以通过访问少量其他节点来恢复数据,然而LRC的局部度不尽相同,该文构造了短码长且局部度较小的四元LRC。当码长不超过20,最小距离大于2时,若四元距离最优线性码的生成阵维数不超过校验阵维数,可利用其生成阵给出LRC,否则利用其校验阵给出LRC。对已构造的LRC的生成阵或校验阵,利用删除、并置等方法得到新矩阵,从而构造出190个码长$n \le 20$,最小距离$d \ge 2$的LRC。除12个LRC外,其他LRC是局部度最优的。
Lai-Massey结构平均差分概率和平均线性链概率的上界估计
凡如亚, 金晨辉, 崔霆
2018, 40(12): 2986-2991. doi: 10.11999/JEIT180196  刊出日期:2018-12-01
关键词: 密码学, Lai-Massey 结构, 差分分析, 线性分析, 可证明安全, 正型置换
Lai-Massey结构是由IDEA算法发展而来的一个分组密码结构,FOX系列密码算法是该密码结构的代表。该文从差分概率关于独立等概轮密钥的平均概率上界和给定起点和终点的线性链的平均概率上界两个角度出发,研究Lai-Massey 结构的差分和线性可证明安全性。该文证明了2轮Lai-Massey结构的非平凡差分对应关于独立等概的轮密钥的平均概率 $ \le p{}_{\max }$ ;证明了当Lai-Massey 结构的F函数是正型置换时,轮数 $r \ge 3$ 的非平凡差分对应关于独立等概的轮密钥的平均概率 $ \le p_{\max }^2$ 。针对给定起点和终点的线性链的平均概率上界,该文也获得了类似的结论。
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